기술명(국문) | 전하 주입성을 향상시킨 유기박막트랜지스터 및 이의 제조방법 |
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기술명(영문) | Improvement of charge injection in organic thin film transistor by local doping |
관련산업 | 반도체 제조업 |
기술개요 및 특징 | 본 발명은 기판상의 소스/드레인 전극 중 한쪽 전극에만 CS2C03 등의 용액을 도포하여 전자주입성을 향상시킨 유기박막트랜지스터 및 그를 이용한 금속산화막반도체(CMOS) 디지털 회로에 관한 것으로 기판; 상기 기판 상에 위치한 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 일부 영역에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나에만 도포된 전자주입층; 상기 전자주입층을 포함하는 기판 상에 위치하는 유기반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터로 구성된다. 본 발명의 유기박막트랜지스터를 사용하면 소스/드레인 전극과 N-형 과 P-형반도체 사이의 접촉저항을 대폭 줄일 수 있어, 소자의 N형과 P형의 전하 주입을 향상시킨 양극성 유기박막 트랜지스터를 제공할 수 있다. 또한 소스/드레인 전극 중 어느 하나에만 선택적으로 용액을 도포함으로써 제조공정을 단순화하고 제조원가를 줄일 수 있는 경제적인 효과도 기대된다. |
기술구분 | 특허 |
IPC구분 | H01L 29/786 |
출원번호 | 10-2010-0042894 |
등록번호 | 10-1101479-0000 |
권리자(출원인)(권리자 정보는 등록원부와 다를 수 있습니다) | 한밭대학교 산학협력단 |
희망거래 유형 | 기술매매 |
기술이전조건 | |
기술이전금액 | 3,000~5,000만원이하 |
판매 희망자 | 기업 |
파일첨부 |
등록일 | 2018-06-05 |
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접수상태 |